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2N1599

更新时间: 2024-11-12 20:32:55
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CENTRAL 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 52K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 1600mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-39

2N1599 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.11
Is Samacsys:N标称电路换相断开时间:10 µs
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:10 mA
最大直流栅极触发电压:3 VJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
最大漏电流:6 mA通态非重复峰值电流:15 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:1600 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-60 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1.6 A断态重复峰值电压:400 V
重复峰值反向电压:400 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

2N1599 数据手册

  
SCRs  
(Continued)  
I
(AMPS)  
1.0  
1.6  
70  
15  
T
@ T (oC)  
90  
10  
90  
10  
70  
15  
70  
15  
C
I
(AMPS)  
TSM  
CASE  
TO-18  
TO-39  
V
(VOLTS)  
25  
RRM  
2N2322  
2N2323  
2N2324  
2N2325  
2N2326  
2N2327  
2N2328  
2N2329  
50  
2N1595  
2N1596  
2N1595A  
2N1596A  
100  
150  
200  
250  
300  
400  
600  
800  
CS18B  
CS18BZ  
2N1597  
2N1597A  
2N1598  
2N1599  
2N1598A  
2N1599A  
CS18D  
CS18M  
CS18N  
CS18DZ  
CS18MZ  
CS18NZ  
I
200µA  
0.8V  
20µA  
0.8V  
10mA  
2.0V  
2.0mA  
2.0V  
200µA  
0.8V  
GT  
V
GT  
I
5.0mA  
5.0mA  
20mA  
5.0mA  
2.0mA  
H
180  
www.centralsemi.com  

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SCR, V (DRM) = 400 V TO 499.9 V