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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1610 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37 |
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| 2N1611 | DIGITRON |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-37 |
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| 2N1612 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-37 |
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| 2N1613 | STMICROELECTRONICS |
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SWITCHES AND UNIVERSAL AMPLIFIERS |
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| 2N1613 | MICRO-ELECTRONICS |
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NPN LISICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| 2N1613 | FAIRCHILD |
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NPN Small Signal General Purpose Amplifiers |
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| 2N1613 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N1613 | NJSEMI |
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Diode TP-39 |
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| 2N1613 | COMSET |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| 2N1613 | MICROSEMI |
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NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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