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2N1617

更新时间： 2024-01-30 22:13:42

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SEME-LAB		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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2N1617 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	7.5 A
集电极-发射极最大电压：	70 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-61
JESD-30 代码：	O-MUPM-D3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	85 W	最大功率耗散 (Abs)：	85 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	1 V	Base Number Matches：	1

2N1617 数据手册

2N1617

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

NPN SILICON

(

)

TRANSISTOR

• Bipolar Power Transistor

• TO–61 Hermetic Package

• High Current Switching

• LF Large Signal Amplification

(

)

(

)

TO–61 Metal Package.

Pin 1 – Emitter

Pin 2 – Base

Case – Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Continuous Collector Current

Total Device Dissipation

Derate above 100°C

80V

70V

CBO

CEO

EBO

85W

570 mW/°C

–65 to +175°C

, T

Storage and Operating Junction Temperature Range

STG

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to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

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Document Number 5642

Issue 1

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N1617A	NJSEMI	Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin TO-39 Box	获取价格
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2N1618	NJSEMI	HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N1618	APITECH	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3	获取价格
2N1618A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 7.5A I(C) \| TO-210AC	获取价格