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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1016CE3 | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 2N1016D | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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| 2N1016D | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N1016DE3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor |
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| 2N1016E | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N1016F | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Metal, 2 Pin, |
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| 2N1017 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 400MA I(C) | CAN |
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| 2N1018 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 6V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-5 |
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| 2N101I | NJSEMI |
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GERMANIUM POWER TRANSISTORS |
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| 2N1021 | SMSC |
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Power Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Germanium, TO-3, Metal, 2 Pin, TO |
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