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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-204AA |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.46 | Is Samacsys： | N |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 23 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 95 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | GERMANIUM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1021A | NJSEMI |
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GERMANIUM POWER TRANSISTORS |
|
| 2N1022 | TI |
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7A, 55V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
|
| 2N1022 | NJSEMI |
获取价格 |
GERMANIUM POWER TRANSISTORS |
|
| 2N1022A | NJSEMI |
获取价格 |
GERMANIUM POWER TRANSISTORS |
|
| 2N1024 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1025 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
|
| 2N1026 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON EPITAXIAL JUNCTION PNP TRANSISTOR |
|
| 2N1026A | NJSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N1027 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1028 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 10V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
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