5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2MBI50N-120
2MBI50N-120 PDF预览

2MBI50N-120

更新时间： 2024-09-12 22:44:59
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 102K
描述
IGBT(1200V 50A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

2MBI50N-120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
其他特性：LOW SATURATION VOLTAGE最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：850 ns
标称接通时间 (ton)：650 nsBase Number Matches：1

2MBI50N-120 数据手册

 浏览型号2MBI50N-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2MBI50N-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2MBI50N-120的Datasheet PDF文件第4页 
IGBT MODULE ( N series )  
n Outline Drawing  
n Features  
• Square RBSOA  
• Low Saturation Voltage  
• Less Total Power Dissipation  
• Improved FWD Characteristic  
• Minimized Internal Stray Inductance  
• Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)  
n Applications  
• High Power Switching  
• A.C. Motor Controls  
• D.C. Motor Controls  
• Uninterruptible Power Supply  
n Maximum Ratings and Characteristics  
n Equivalent Circuit  
• Absolute Maximum Ratings ( Tc=25°C)  
Items  
Collector-Emitter Voltage  
Gate -Emitter Voltage  
Symbols  
Ratings  
1200  
± 20  
50  
100  
50  
Units  
V
V
VCES  
VGES  
Continuous  
1ms  
Continuous  
1ms  
IC  
Collector  
Current  
IC PULSE  
-IC  
-IC PULSE  
A
100  
Max. Power Dissipation  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
PC  
Tj  
Tstg  
Vis  
Mounting *1  
Terminals *2  
400  
W
°C  
°C  
V
+150  
-40 ~ +125  
2500  
3.5  
A.C. 1min.  
Screw Torque  
Nm  
3.5  
Note: *1:Recommendable Value; 2.5 ~ 3.5 Nm (M5)  
• Electrical Characteristics ( at Tj=25°C )  
Items  
Zero Gate Voltage Collector Current  
Gate-Emitter Leackage Current  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Input capacitance  
Symbols  
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
tON  
tr  
tOFF  
tf  
VF  
trr  
Test Conditions  
VGE=0V VCE=1200V  
VCE=0V VGE=± 20V  
VGE=20V IC=50mA  
VGE=15V IC=50A  
VGE=0V  
VCE=10V  
f=1MHz  
VCC=600V  
IC=50A  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.0  
15  
7.5  
3.3  
Units  
mA  
µA  
V
4.5  
V
8000  
2900  
2580  
0.65  
0.25  
0.85  
0.35  
Output capacitance  
Reverse Transfer capacitance  
pF  
1.2  
0.6  
1.5  
0.5  
3.0  
350  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
µs  
VGE=± 15V  
RG=24W  
IF=50A VGE=0V  
IF=50A  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
ns  
• Thermal Characteristics  
Items  
Symbols  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.31  
0.85  
Units  
IGBT  
Diode  
Thermal Resistance  
°C/W  
Rth(c-f)  
With Thermal Compound  
0.05  
1234

中文翻译

下载PDF

与2MBI50N-120相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI50P-140 FUJI

获取价格

 		IGBT(1400V 50A)
2MBI50P-140_04 FUJI

获取价格

 		IGBT Module
2MBI550VJ-170-50 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE (V series) 1700V / 550A / 2 in one package
2MBI550VN-170-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1) M254
2MBI550VX-170-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1) M282
2MBI600NT-060 FUJI

获取价格

 		IGBT(600V 600A)
2MBI600TN-060V FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, M254, 1
2MBI600U2E-060 FUJI

获取价格

 		IGBT Module
2MBI600U4G-120 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE (U series) 1200V / 600A / 2 in one package
2MBI600U4G-170 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE

与2MBI50N-120相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证