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2DB1182Q-13

更新时间： 2024-02-05 06:11:02

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美台 - DIODES		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	107K
描述
32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252

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2DB1182Q-13 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	13 weeks	风险等级：	1.05
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	参考标准：	AEC-Q101
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	110 MHz	Base Number Matches：	1

2DB1182Q-13 数据手册

2DB1182Q

0.4

0.3

1.2

1.0

0.8

= -3V

/I = 10

= -55°C

0.2

0.6

0.4

= 25°C

= 85°C

= 150°C

= 125°C

0.1

T = 125°C

= 85°C

= 150°C

0.2

= 25°C

= -55°C

0.001

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

-I_C, COLLECTOR CURRENT (A)

Fig. 3 Typical Collector-Emitter Saturation Voltage

vs. Collector Current

Fig. 4 Typical Base-Emitter Turn-On Voltage

vs. Collector Current

1,000

100

1.2

f = 1MHz

/I = 10

1.0

0.8

= -55°C

ibo

= 25°C

0.6

0.4

= 85°C

= 125°C

= 150°C

obo

0.2

0.1

100

0.001

0.01

0.1

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

-I_C, COLLECTOR CURRENT (A)

Fig. 6 Typical Capacitance Characteristics

Fig. 5 Typical Base-Emitter Saturation Voltage

vs. Collector Current

140

120

= -5V

f = 30MHz

100

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

I_C, COLLECTOR CURRENT (mA)

Fig. 7 Typical Gain-Bandwidth Product vs. Collector Current

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www.diodes.com

November 2011

2DB1182Q

Document number: DS35651 Rev. 1 - 2

1 234 5

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