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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2DB1386Q-13
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2DB1386Q-13

更新时间： 2024-11-29 07:27:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 225K
描述
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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2DB1386Q-13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：5.73
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.005 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2DB1386Q-13 数据手册

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2DB1386Q/R  
PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
•
•
•
•
•
Epitaxial Planar Die Construction  
Ideally Suited for Automated Assembly Processes  
Ideal for Medium Power Switching or Amplification Applications  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
Mechanical Data  
SOT89-3L  
•
•
Case: SOT89-3L  
Case Material: Molded Plastic, "Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals: Finish — Matte Tin annealed over Copper leadframe  
(Lead Free Plating). Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking & Type Code Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.072 grams (approximate)  
TOR  
LLEC  
2,4  
CO  
3 E  
2 C  
1 B  
•
•
C 4  
T
1
ASE  
B
•
•
•
3
EMITTER  
EW  
VI  
OP  
Schematic and Pin Configuration  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current  
Continuous Collector Current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
Value  
-30  
-20  
-6  
-10  
-5  
Unit  
V
V
V
A
A
IC  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
PD  
Rθ  
Value  
1
Unit  
W
Power Dissipation (Note 3) @ TA = 25°C  
125  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 3) @ TA = 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
JA  
-55 to +150  
Tj, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Conditions  
-30  
-20  
-6  
V
V
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
I
I
I
C = -50μA, IE = 0  
C = -1mA, IB = 0  
E = -50μA, IC = 0  
CB = -20V, IE = 0  
EB = -5V, IC = 0  
V
-0.5  
⎯
⎯
μA  
μA  
V
V
Emitter Cut-Off Current  
-0.5  
IEBO  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
-0.25  
⎯
⎯
-1.0  
270  
390  
V
VCE(SAT)  
⎯
120  
180  
I
I
C = -4A, IB = -0.1A  
2DB1386Q  
2DB1386R  
DC Current Gain  
hFE  
⎯
C = -0.5A, VCE = -2V  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
VCB = -20V, IE = 0,  
f = 1MHz  
55  
pF  
pF  
Cobo  
fT  
⎯
⎯
⎯
⎯
VCE = -6V, IE = 50mA,  
f = 30MHz  
Current Gain-Bandwidth Product  
100  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB; pad layout as shown on page 4 or in Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001, which can  
be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
4. Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300μs. Duty cycle ≤2%.  
DS31147 Rev. 5 - 2  
1 of 4  
www.diodes.com  
2DB1386Q/R  
© Diodes Incorporated  
1234

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2DB1386Q-13R DIODES

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2DB1386R DIODES

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 		PNP, 20V, 5A, SOT89
2DB1386R-13 DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DB1424R DIODES

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 		PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
2DB1424R-13 DIODES

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