2DAA-F6R

更新时间： 2024-09-17 02:56:39

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伯恩斯 - BOURNS		瞬态抑制器二极管局域网
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描述
Integrated Passive & Active Device

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2DAA-F6R 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	CSP
包装说明：	R-XBGA-B6	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	6 V
配置：	COMMON ANODE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-XBGA-B6
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	300 W
元件数量：	4	端子数量：	6
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

2DAA-F6R 数据手册

Features

Applications

■ Lead free versions available

■ RoHS compliant (lead free version)*

■ ESD protection > 25k volts

■ Protects four unidirectional lines

■ Small SMT package

■ Cell phones

■ PDAs and notebooks

■ Digital cameras

■ MP3 players and GPS

2DAA-F6R - Integrated Passive & Active Device

General Information

The 2DAA-F6R device provides ESD protection for the I/O

port of portable electronic devices such as cell phones,

modems and PDAs. The device incorporates four TVS

unidirectional diodes configured for interfacing to external

lines.

SOLDER

BUMPS

The ESD protection provided by the component enables

an I/O port to withstand a minimum 8 ꢀV Contact / 15 ꢀV

Air Discharge per the ESD test method specified in IEC

61000-4-2. The device measures 1.00 mm x 1.50 mm and

is available in a 6 bump Flip Chip package intended to be

mounted directly onto an FR4 printed circuit board. The

Flip Chip device meets typical thermal cycle and bend test

specifications without the use of an underfill material.

SILICON

DIE

Electrical & Thermal Characteristics

Electrical Characteristics

Symbol

Minimum

Nominal

Maximum

Unit

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Per TVS Diode Specification

Capacitance @ 0 V 1 MHz

Rated Standoff Voltage

Breakdown Voltage @ 1 mA

Clamping Voltage

V_WM

V_BR

120

6.0

150

5.0

180

@ I_P= 5 A t_P= 8/20 µs

@ I_PP= 24 A t_P= 8/20 µs

Leakage Current @ 5 V

V_C

I_R

9.5

µA

ESD Protection: IEC 61000-4-2

Contact Discharge

Air Discharge

Surge Protection: IEC 61000-4-5

8/20 µs - Level 2 (Line - Gnd)

8/20 µs - Level 3 (Line - Line)

Thermal Characteristics

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Peak Pulse Power (t_P= 8/20 µs)

T_J

T_STG

P_PP

-40

-55

+85

+150

300

°C

*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex

Specifications are subject to change without notice.

Customers should verify actual device performance in their specific applications.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2DAA-F6RLF	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device
2DAB-F6R	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device
2DAB-F6RLF	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device
2DAC-C16R	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP
2DAC-C16RLF	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP
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2DAF100PBRF172	ITT	获取价格	The Centi Line - .075 Contact Spacing
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