2DAB-F6RLF

更新时间： 2024-11-29 02:56:39

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伯恩斯 - BOURNS		瞬态抑制器二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	232K
描述
Integrated Passive & Active Device

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2DAB-F6RLF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	CSP	包装说明：	R-XBGA-B6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	6 V	配置：	COMMON ANODE, 5 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-XBGA-B6	JESD-609代码：	e1
最大非重复峰值反向功率耗散：	250 W	元件数量：	5
端子数量：	6	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2DAB-F6RLF 数据手册

Features

Applications

■ Lead free versions available

■ RoHS compliant (lead free version)*

■ ESD protection > 25k volts

■ Cell phones

■ PDAs and notebooks

■ Digital cameras

■ MP3 players and GPS

■ Protects five unidirectional lines or four

bidirectional lines

■ Small SMT package

2DAB-F6R - Integrated Passive & Active Device

General Information

The 2DAB-F6R device provides ESD protection for the

I/O port of portable electronic devices such as cell

phones, modems and PDAs. The device incorporates five

TVS diodes which can be configured as five unidirectional

lines or four bidirectional lines for interfacing to external

lines.

SOLDER

BUMPS

SILICON

DIE

The ESD protection provided by the component enables

an I/O port to withstand a minimum 8 ꢀV Contact / 15 ꢀV

Air Discharge per the ESD test method specified in IEC

61000-4-2. The device measures 1.00 mm x 1.50 mm and

is available in a 6 bump Flip Chip package intended to be

mounted directly onto an FR4 printed circuit board. The

Flip Chip device meets typical thermal cycle and bend test

specifications without the use of an underfill material.

Electrical & Thermal Characteristics

Electrical Characteristics

Symbol

Minimum

Nominal

Maximum

Unit

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Per TVS Diode Specification

Capacitance @ 0 V 1 MHz

Rated Standoff Voltage

Breakdown Voltage @ 1 mA

Clamping Voltage

V_WM

V_BR

120

6.0

150

5.0

180

@ I_P= 5 A t_P= 8/20 µs

@ I_PP= 24 A t_P= 8/20 µs

Leakage Current @ 5 V

V_C

I_R

9.5

µA

ESD Protection: IEC 61000-4-2

Contact Discharge

Air Discharge

Surge Protection: IEC 61000-4-5

8/20 µs - Level 2 (Line - Gnd)

8/20 µs - Level 3 (Line - Line)

Thermal Characteristics

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

Peak Pulse Power (t_P= 8/20 µs)

T_J

T_STG

P_PP

-40

-55

+85

+150

250

°C

*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex

Specifications are subject to change without notice.

Customers should verify actual device performance in their specific applications.

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与2DAB-F6RLF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2DAC-C16R	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP
2DAC-C16RLF	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP
2DAD-C5R	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP
2DAD-C5RLF	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP
2DAF100PBRF171	ITT	获取价格	The Centi Line - .075 Contact Spacing
2DAF100PBRF172	ITT	获取价格	The Centi Line - .075 Contact Spacing
2DAF100PBRF173	ITT	获取价格	The Centi Line - .075 Contact Spacing
2DAF100SBRF171	ITT	获取价格	The Centi Line - .075 Contact Spacing
2DAF100SBRF172	ITT	获取价格	The Centi Line - .075 Contact Spacing
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