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2C2907A

更新时间： 2024-09-14 22:11:35

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SEMICOA		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
1页	33K
描述
Chip Type 2C2907A Geometry 0600 Polarity PNP

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2C2907A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	S-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2C2907A 数据手册

Data Sheet No. 2C2907A

Ge ne ric Pa c ka ge d Pa rts :

Chip Type 2C2907A

Geometry 0600

Polarity PNP

2N2905, 2N2905A, 2N2907,

2N2907A

Chip type 2C2907A by Semicoa

Semiconductors provides perfor-

mance similar to these devices.

Product Summary:

APPLICATIONS: Designed for gen-

eral purpose switching and amplifier

applications.

Part Numbers:

2N2905, 2N2905A, 2N2905AL, 2N2907, 2N2907A,

2N2907AUB, SD2907A, SD2907AF, SQ2907A,

SQ2907AF, 2N3486, 2N3486A, 2N6987, 2N6989

Features: Radiation graphs available

Mechanical Specifications

Top

Al - 18 kÅ min.

Metallization

Backside

Emitter

Base

Au - 6.5 kÅ nom.

4.0 mils x 4.0 mils

Bonding Pad Size

8 mils nominal

Die Thickness

Chip Area

20 mils x 20 mils

Silox Passivated

Top Surface

Electrical Characteristics

T_A= 25^oC

Parameter

BV_CEO

Test conditions

Min

Max

---

Unit

V dc

I_C= 10 mA, I_B= 0

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_E= 10 µA, I_C= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

BV_CBO

BV_EBO

I_CBO

---

5.0

---

h_FE

I_C= 150 mA dc, V_CE= 10 V

100

300

---

Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less

than 300 µs, duty cycle less than 2%.

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