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2SD1898U

更新时间： 2023-12-06 20:11:39

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先科 - SWST		晶体管
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5页	789K
描述
小信号晶体管

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2SD1898U 数据手册

2SD1898U

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For power amplification applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

0.5

P_tot

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 13/07/2023 Rev: 04

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