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2SD1899M

更新时间: 2024-02-02 00:02:52
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其他 - ETC 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 272K
描述
BJT

2SD1899M 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):3 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):100最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):10 W
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
Base Number Matches:1

2SD1899M 数据手册

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