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2SD1899U

更新时间： 2023-12-06 20:11:02

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先科 - SWST		晶体管
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4页	198K
描述
小信号晶体管

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2SD1899U 数据手册

2SD1899U

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low Collector Emitter Saturation Voltage

• Good h_FElinearity

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

120

Collector Current

Peak Collector Current, Pulsed

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I_CM

0.5

P_tot

℃

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance from Junction Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 4

Dated: 29/04/2021 Rev: 01

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