Datasheet > 2SD1899-L-TP-HF

2SD1899-L-TP-HF

更新时间： 2024-02-21 22:47:16

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	555K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1899-L-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2SD1899-L-TP-HF 数据手册

M C C

Micro Commercial Components

2SD1899-M

2SD1899-L

2SD1899-K

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates RoHS

Compliant. See ordering information)

NPN Silicon

Epitaxial Transistor

•

Capable of 1.0Watts of Power Dissipation.

Collector-current 3.0A

Collector-base Voltage 60V

Operating and storage junction temperature range:-55 C to +150 C

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

DPAK

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(I =1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I =100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=100uAdc,I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=60Vdc, I_E=0Adc)

Emitter Cutoff Current

Vdc

uAdc

I_EBO

(V_EB=7.0Vdc, I_C=0Adc)

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

DC Current Gain*

(I_C=600mAdc, V_CE=2.0Vdc)

100

400

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I =1500mAdc, I_B=150mAdc)

0.25

1.2

Vdc

PIN 1. BASE

PIN 2.4 COLLECTOR

PIN 3. EMITTER

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =1500mAdc, I_B=150mAdc)

DIMENSIONS

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

INCHES

MAX

Transistor Frequency

(I =1500mAdc, V_CE=5Vdc)

DIM

MIN

MAX

2.40

0.13

0.86

0.58

6.70

5.46

NOTE

120(Typ)

30(typ)

MHz

0.087

0.000

0.026

0.018

0.256

0.201

0.094

0.005

0.034

0.023

0.264

0.215

2.20

0.00

0.66

0.46

6.50

5.10

C_OB

Collector Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0,f=1MHz)

0.190

0.114

4.83

2.90

0.236

0.086

0.386

0.244

0.094

0.409

6.00

2.18

9.80

6.20

2.39

10.40

CLASSIFICATION OF HFE (1)

0.055

0.067

1.40

1.70

Rank

0.063

1.60

1.10

0.00

5.35

0.043

0.051

1.30

Range

100-200

160-320

200-400

0.000

0.012

0.30

0.211

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2015/03/24

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SD1899-L-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1899M	ETC	获取价格	BJT
2SD1899-M	MCC	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Transistor
2SD1899-M-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SD1899R	BL Galaxy Electrical	获取价格	60V,3A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
2SD1899U	SWST	获取价格	小信号晶体管
2SD1899-Z	TRSYS	获取价格	TO-252 Plastic-Encapsulated Transistors
2SD1899-Z	KEXIN	获取价格	NPN Silicon Epitaxial Transistor
2SD1899-Z	RENESAS	获取价格	SILICON POWER TRANSISTOR
2SD1899-Z	TYSEMI	获取价格	Low VCE(sat). High hFE.Collector-base voltage VCBO 60 V
2SD1899-Z	NEC	获取价格	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3

与2SD1899-L-TP-HF相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

8
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

8
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

10
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1899-L-TP-HF

2SD1899-L-TP-HF 技术参数

2SD1899-L-TP-HF 数据手册

与2SD1899-L-TP-HF相关器件

与2SD1899-L-TP-HF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SD1899-L-TP-HF

2SD1899-L-TP-HF 技术参数

2SD1899-L-TP-HF 数据手册

与2SD1899-L-TP-HF相关器件

与2SD1899-L-TP-HF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？