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2SC3324

更新时间： 2025-07-29 07:30:43

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Silicon NPN Epitaxial

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2SC3324 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon NPN Epitaxial

2SC3324

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

3

Features

High voltageVCEO=120V

High hFE.hFE=200 to 700

Low noise.

1

2

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

Small package.

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

120

Unit

V

V

120

5

V

100

mA

mA

mW

Base current

I^B

20

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P^C

150

T^j

125

Tstg

-55 to +125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

0.1

Unit

ìA

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

VCB = 120 V, IE = 0

VEB = 5 V, IC = 0

I^EBO

0.1

ìA

h^FE

VCE = 6 V, IC = 2 mA

200

700

0.3

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V^{CE (sat)}IC = 10 mA, IB = 1 mA

V

MHz

pF

f^T

VCE = 6 V, IC = 1 mA

100

4

Collector output capacitance

C^ob

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz

V^CB=6 V, IC=0.1 mA, f=100 Hz,Rg=10 kÙ

V^CB=6 V, IC=0.1 mA, f=1 kHz,Rg=10 kÙ

0.5

0.2

6

3

dB

Noise figure

NF

dB

hFE Classification

Marking

Rank

CBG

GR

CBL

BL

hFE

200 400

350 700

1

www.kexin.com.cn

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