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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SA1807/N | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT, DPA |
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| 2SA1807/NP | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT, DPA |
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| 2SA1807/P | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT, DPA |
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| 2SA1807_2SA1862 | ROHM | High Breakdown Vlotage, Low saturation vlotage,typically Vce(sat) = -0.25V at lc/lc=-300mA |
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| 2SA1807F5 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
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| 2SA1807F5/N | ROHM | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, 3 |
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