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2SA1807F5

更新时间： 2024-01-07 06:56:32

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	229K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 600V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-252

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2SA1807F5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	10 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	VCEsat-Max：	1 V
Base Number Matches：	1

2SA1807F5 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA1807F5/N	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, 3	获取价格
2SA1807F5/NP	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, 3	获取价格
2SA1807F5/P	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, 3	获取价格
2SA1807F5N	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 600V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-252	获取价格
2SA1807F5P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 600V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-252	获取价格
2SA1807F5TLP	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, S	获取价格

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