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2SA1808P

更新时间: 2024-01-12 07:49:47
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 208K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23VAR

2SA1808P 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.03 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):39
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.2 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):400 MHz
Base Number Matches:1

2SA1808P 数据手册

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