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2SA1807F5/NP

更新时间: 2024-02-09 22:26:59
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罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, 3 PIN

2SA1807F5/NP 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.76Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):56JESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:10 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHzVCEsat-Max:1 V
Base Number Matches:1

2SA1807F5/NP 数据手册

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2SA1807F5/P ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, 3

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2SA1807F5N ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252

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2SA1807F5P ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252

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2SA1807F5TLP ROHM Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, S

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2SA1807N ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR

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2SA1807P ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR

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