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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 56 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1807/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPT, DPA |
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| 2SA1807_2SA1862 | ROHM |
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High Breakdown Vlotage, Low saturation vlotage,typically Vce(sat) = -0.25V at lc/lc=-300mA |
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| 2SA1807F5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
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| 2SA1807F5/N | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, 3 |
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| 2SA1807F5/NP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, 3 |
|
| 2SA1807F5/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, 3 |
|
| 2SA1807F5N | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
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| 2SA1807F5P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
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| 2SA1807F5TLP | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CPTF5, S |
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| 2SA1807N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 600V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252VAR |
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