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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 基于收集器的最大容量： | 600 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| VCEsat-Max： | 3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6285LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6286 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| 2N6286 | NJSEMI |
获取价格 |
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE |
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| 2N6286 | COMSET |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6286 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
20A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
|
| 2N6286 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(20A,160W) |
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| 2N6286 | BOCA |
获取价格 |
DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
|
| 2N6286 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6286 | CENTRAL |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |
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| 2N6286 | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
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