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27LV64-25I/L

更新时间： 2024-11-08 02:56:15

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器
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10页	128K
描述
64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM

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27LV64-25I/L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	PLASTIC, LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	250 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQCC-J32	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QCCJ	封装等效代码：	LDCC32,.5X.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3/5 V	编程电压：	13 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.56 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

27LV64-25I/L 数据手册

Obsolete Device

27LV64

64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM

FEATURES

PACKAGE TYPES

DIP/SOIC

• Wide voltage range 3.0V to 5.5V

• High speed performance

V_PP• 1

28 V_CC

27 PGM

26 NC

25 A8

24 A9

23 A11

22 OE

21 A10

20 CE

19 O7

18 O6

17 O5

16 O4

15 O3

- 200 ns access time available at 3.0V

• CMOS Technology for low power consumption

- 8 mA active current at 3.0V

A12

- 20 mA active current at 5.5V

- 100 µA standby current

• Factory programming available

• Auto-insertion-compatible plastic packages

• Auto ID aids automated programming

• Separate chip enable and output enable controls

• High speed “express” programming algorithm

• Organized 8K x 8: JEDEC standard pinouts

- 28-pin Dual-in-line package

V_SS14

PLCC

- 32-pin PLCC Package

- 28-pin SOIC package

- Tape and reel

A11

A10

• Available for the following temperature ranges:

- Commercial:

- Industrial:

0°C to +70°C

-40°C to +85°C

DESCRIPTION

The Microchip Technology Inc. 27LV64 is a low-voltage

(3.0 volt) CMOS EPROM designed for battery powered

applications. The device is organized as 8K x 8 (8K-

Byte) non-volatile memory product. The 27LV64 con-

sumes only 8mA maximum of active current during a

3.0 volt read operation therefore improving battery per-

formance. This device is designed for very low voltage

applications where conventional 5.0 volt only EPROMs

can not be used. Accessing individual bytes from an

address transition or from power-up (chip enable pin

going low) is accomplished in less than 200 ns at

3.0V.This device allows system designers the ability to

use low voltage non-volatile memory with today’s low

voltage microprocessors and peripherals in battery

powered applications.

A complete family of packages is offered to provide the

most flexibility in applications. For surface mount appli-

cations, PLCC or SOIC packaging is available. Tape

and reel packaging is also available for PLCC or SOIC

packages.

2004 Microchip Technology Inc.

DS11024F-page 1

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
27LV64-25I/P	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM
27LV64-25I/SO	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM
27LV64-25I/TS	ETC	获取价格	x8 EPROM
27LV64-25IL	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM
27LV64-25IP	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM
27LV64-25ISO	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM
27LV64-25L	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM
27LV64-25P	MICROCHIP	获取价格	64K (8K x 8) Low-Voltage CMOS EPROM
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