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Datasheet > 存储 > EPROM> 27C128-12/SO
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27C128-12/SO

更新时间： 2024-09-16 23:19:27
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美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器电动程控只读存储器
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12页 65K
描述
x8 EPROM

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27C128-12/SO 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.67Is Samacsys：N
最长访问时间：120 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：17.9 mm内存密度：131072 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：16384 words字数代码：16000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：16KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：13 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

27C128-12/SO 数据手册

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27C128  
FIGURE 1-2: PROGRAMMING WAVEFORMS (1)  
Program  
Verify  
VIH  
Address  
Data  
Address Stable  
VIL  
V IH  
VIL  
tAS  
t DS  
tAH  
High Z  
Data In Stable  
Data Out Valid  
tDF  
(2)  
t DH  
13.0 V (3)  
5.0 V  
6.5 V (3)  
5.0 V  
VIH  
VPP  
VCC  
CE  
tVPS  
tVCS  
VIL  
tCES  
V IH  
PGM  
OE  
VIL  
tOES  
tPW  
tOE  
(2)  
V IH  
tOPW  
VIL  
Notes: (1)  
The input timing reference is 0.8V for VIL and 2.0V for VIH.  
(2)  
(3)  
tDF and tOE are characteristics of the device but must be accommodated by the programmer.  
Vcc = 6.5V ±0.25V, VPP = VH = 13.0V ±0.25V for Express algorithm.  
TABLE 1-6:  
MODES  
Operation Mode  
Read  
CE  
OE  
PGM  
VPP  
A9  
O0 - O7  
VIL  
VIL  
VIL  
VIH  
VIH  
VIL  
VIL  
VIL  
VIH  
VIL  
X
VIH  
VIL  
VIH  
X
VCC  
VH  
X
X
DOUT  
DIN  
Program  
Program Verify  
Program Inhibit  
Standby  
VH  
X
DOUT  
VH  
X
High Z  
X
X
VCC  
VCC  
VCC  
X
High Z  
Output Disable  
Identity  
VIH  
VIL  
VIH  
VIH  
X
High Z  
VH  
Identity Code  
X = Don’t Care  
For Read operations, if the addresses are stable, the  
address access time (tACC) is equal to the delay from  
CE to output (tCE). Data is transferred to the output  
after a delay from the falling edge of OE (tOE).  
1.2  
Read Mode  
(See Timing Diagrams and AC Characteristics)  
Read Mode is accessed when  
a) the CE pin is low to power up (enable) the chip  
b) the OE pin is low to gate the data to the output  
pins  
1996 Microchip Technology Inc.  
DS11003K-page 5  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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