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25AA010A-I/P

更新时间: 2024-01-23 03:32:08
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美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管PC可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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28页 469K
描述
1K SPI Bus Serial EEPROM

25AA010A-I/P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.58Is Samacsys:N
其他特性:DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES最大时钟频率 (fCLK):3 MHz
数据保留时间-最小值:200耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.4 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:128 words
字数代码:128工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128X8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.005 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

25AA010A-I/P 数据手册

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25AA010A/25LC010A  
FIGURE 2-2:  
BYTE WRITE SEQUENCE  
CS  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11  
17  
6
20  
18 19  
21 22 23  
12 13 14 15 16  
Twc  
SCK  
Instruction  
Address byte  
A6 A5 A4  
A2 A1  
data byte  
0
0
0
0
0
0
1
0
X
7
5
2
4
3
A3  
0
A0  
1
SI  
high-impedance  
SO  
X= don’t care  
FIGURE 2-3:  
PAGE WRITE SEQUENCE  
CS  
12  
13  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11  
14 15 16 17 18  
20 21 22 23  
19  
SCK  
Address byte  
Instruction  
data byte 1  
5
A3  
A1  
A0  
0
0
0
0
0
0
1
0
A6 A5  
A2  
7
6
4
3
2
1
0
A4  
X
SI  
CS  
24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39  
SCK  
SI  
data byte 2  
data byte 3  
data byte n (16 max)  
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
X= don’t care  
DS21832C-page 8  
Preliminary  
© 2006 Microchip Technology Inc.  

25AA010A-I/P 替代型号

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