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25AA010A-I/P

更新时间: 2024-02-19 00:51:28
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美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管PC可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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28页 469K
描述
1K SPI Bus Serial EEPROM

25AA010A-I/P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.58Is Samacsys:N
其他特性:DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES最大时钟频率 (fCLK):3 MHz
数据保留时间-最小值:200耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.4 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:128 words
字数代码:128工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128X8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.000001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.005 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:3 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

25AA010A-I/P 数据手册

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25AA010A/25LC010A  
FIGURE 1-1:  
HOLD TIMING  
CS  
17  
17  
16  
16  
SCK  
SO  
18  
19  
high-impedance  
n
n + 2  
n + 1  
n
n - 1  
5
don’t care  
n
n + 2  
n + 1  
n
n - 1  
SI  
HOLD  
FIGURE 1-2:  
SERIAL INPUT TIMING  
4
CS  
12  
11  
2
7
3
8
Mode 1,1  
Mode 0,0  
SCK  
SI  
5
6
MSB in  
LSB in  
high-impedance  
SO  
FIGURE 1-3:  
SERIAL OUTPUT TIMING  
CS  
3
9
10  
Mode 1,1  
SCK  
Mode 0,0  
13  
15  
ISB out  
14  
MSB out  
SO  
SI  
don’t care  
© 2006 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS21832C-page 5  

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