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Datasheet > 存储 > EEPROM> 25AA010A-I/P
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25AA010A-I/P

更新时间： 2024-02-05 16:12:43
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 存储内存集成电路光电二极管PC可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
28页 469K
描述
1K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA010A-I/P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.58Is Samacsys：N
其他特性：DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES最大时钟频率 (fCLK)：3 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.4 mm内存密度：1024 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.005 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：3 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

25AA010A-I/P 数据手册

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25AA010A/25LC010A  
TABLE 1-2:  
AC CHARACTERISTICS  
Industrial (I):  
Automotive (E):  
TA = -40°C to +85°C  
TA = -40°C to +125°C  
VCC = 1.8V to 5.5V  
VCC = 2.5V to 5.5V  
AC CHARACTERISTICS  
Param.  
Sym.  
Characteristic  
Min.  
Max.  
Units  
Test Conditions  
No.  
1
2
3
FCLK Clock Frequency  
—
—
—
10  
5
3
MHz 4.5V ≤ VCC < 5.5V  
MHz 2.5V ≤ VCC < 4.5V  
MHz 1.8V ≤ VCC < 2.5V  
TCSS CS Setup Time  
TCSH CS Hold Time  
TCSD CS Disable Time  
50  
100  
150  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
100  
200  
250  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
4
5
50  
—
ns  
—
Tsu  
Data Setup Time  
10  
20  
30  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
6
THD  
Data Hold Time  
20  
40  
50  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
7
8
9
TR  
TF  
CLK Rise Time  
CLK Fall Time  
Clock High Time  
—
—
2
2
μs  
μs  
(Note 1)  
(Note 1)  
THI  
0.05  
0.1  
0.15  
1000  
1000  
1000  
μs  
μs  
μs  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
10  
TLO  
Clock Low Time  
0.05  
0.1  
0.15  
1000  
1000  
1000  
μs  
μs  
μs  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
11  
12  
13  
TCLD Clock Delay Time  
50  
50  
—
—
ns  
ns  
—
—
TCLE  
TV  
Clock Enable Time  
Output Valid from Clock  
Low  
—
—
—
50  
100  
160  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
14  
15  
THO  
TDIS  
Output Hold Time  
0
—
ns  
(Note 1)  
Output Disable Time  
—
—
—
40  
80  
160  
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V (Note 1)  
2.5V ≤ VCC < 4.5V (Note 1)  
1.8V ≤ VCC < 2.5V (Note 1)  
16  
THS  
HOLD Setup Time  
20  
40  
80  
—
—
—
ns  
ns  
ns  
4.5V ≤ VCC < 5.5V  
2.5V ≤ VCC < 4.5V  
1.8V ≤ VCC < 2.5V  
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.  
2: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific  
application, please consult the Total Endurance™ Model which can be obtained from our web site:  
www.microchip.com.  
3: TWC begins on the rising edge of CS after a valid write sequence and ends when the internal write cycle  
is complete.  
© 2006 Microchip Technology Inc.  
Preliminary  
DS21832C-page 3  
1234567...28

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