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25AA010A-I/P

更新时间： 2024-02-27 02:12:04

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路光电二极管 PC 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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1K SPI Bus Serial EEPROM

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25AA010A-I/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
其他特性：	DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES	最大时钟频率 (fCLK)：	3 MHz
数据保留时间-最小值：	200	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	1024 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	128 words
字数代码：	128	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	串行总线类型：	SPI
最大待机电流：	0.000001 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.005 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	3 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

25AA010A-I/P 数据手册

25AA010A/25LC010A

TABLE 1-2:

AC CHARACTERISTICS (CONTINUED)

Industrial (I):

Automotive (E):

TA = -40°C to +85°C

TA = -40°C to +125°C

VCC = 1.8V to 5.5V

VCC = 2.5V to 5.5V

AC CHARACTERISTICS

Param.

Sym.

Characteristic

Min.

Max.

Units

Test Conditions

No.

THH

HOLD Hold Time

—

4.5V ≤ VCC < 5.5V

2.5V ≤ VCC < 4.5V

1.8V ≤ VCC < 2.5V

THZ

THV

HOLD Low to Output

High-Z

160

—

4.5V ≤ VCC < 5.5V (Note 1)

2.5V ≤ VCC < 4.5V (Note 1)

1.8V ≤ VCC < 2.5V (Note 1)

HOLD High to Output

Valid

160

—

4.5V ≤ VCC < 5.5V

2.5V ≤ VCC < 4.5V

1.8V ≤ VCC < 2.5V

TWC

—

Internal Write Cycle Time

(byte or page)

—

(NOTE 3)

Endurance

—

E/W (NOTE 2)

Cycles

Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

2: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific

application, please consult the Total Endurance™ Model which can be obtained from our web site:

www.microchip.com.

3: TWC begins on the rising edge of CS after a valid write sequence and ends when the internal write cycle

is complete.

TABLE 1-3:

AC Waveform:

VLO = 0.2V

AC TEST CONDITIONS

—

VHI = VCC - 0.2V

(Note 1)

(Note 2)

—

VHI = 4.0V

CL = 100 pF

Timing Measurement Reference Level

Input

0.5 VCC

Output

Note 1: For VCC ≤ 4.0V

2: For VCC > 4.0V

DS21832C-page 4

Preliminary

1 2 345 6 7...28

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