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21L021FCQM

更新时间: 2024-11-16 20:59:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 241K
描述
Standard SRAM, 1KX1, 450ns, MOS, PDFP16, DFP-16

21L021FCQM 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DFP, FL16,.3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:450 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDFP-F16
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
湿度敏感等级:2A功能数量:1
端子数量:16字数:1024 words
字数代码:1000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1KX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DFP
封装等效代码:FL16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):250认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

21L021FCQM 数据手册

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