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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 650 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 湿度敏感等级： | 2A |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 16 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 21L02-3B | PHILIPS |
获取价格 |
1KX1 STANDARD SRAM, 400ns, PDIP16 |
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| 21L02-3B | NXP |
获取价格 |
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, PDIP16, Static RAM |
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| 21L02-3F | NXP |
获取价格 |
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, CDIP16, Static RAM |
|
| 21L02-3I | NXP |
获取价格 |
IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, CDIP16, Static RAM |
|
| 21L02ADCQM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX1, 500ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 |
|
| 21L02DC | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 |
|
| 21L02FFC | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX1, 350ns, MOS, PDFP16, DFP-16 |
|
| 21L02FFCQP | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX1, 350ns, MOS, PDFP16, DFP-16 |
|
| 21L02FFCQR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX1, 350ns, MOS, PDFP16, DFP-16 |
|
| 21L02HDC | FAIRCHILD |
获取价格 |
Standard SRAM, 1KX1, 250ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 |
|
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