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21L02DC

更新时间: 2024-11-16 20:59:39
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 241K
描述
Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

21L02DC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
最长访问时间:650 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-CDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1湿度敏感等级:2A
功能数量:1端子数量:16
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):250
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:MOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

21L02DC 数据手册

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