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21L022DCQM

更新时间： 2024-11-16 20:59:39

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
5页	241K
描述
Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

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21L022DCQM 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	650 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CDIP-T16	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1024 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	1	湿度敏感等级：	2A
功能数量：	1	端子数量：	16
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1KX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP16,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	250
认证状态：	Not Qualified	子类别：	SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	MOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
21L022DCQP	FAIRCHILD	获取价格	Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
21L02-2F	PHILIPS	获取价格	Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16
21L022PC	FAIRCHILD	获取价格	Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
21L022PCQR	FAIRCHILD	获取价格	Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
21L02-3B	PHILIPS	获取价格	1KX1 STANDARD SRAM, 400ns, PDIP16
21L02-3B	NXP	获取价格	IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, PDIP16, Static RAM
21L02-3F	NXP	获取价格	IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, CDIP16, Static RAM
21L02-3I	NXP	获取价格	IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, CDIP16, Static RAM
21L02ADCQM	FAIRCHILD	获取价格	Standard SRAM, 1KX1, 500ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
21L02DC	FAIRCHILD	获取价格	Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16