5秒后页面跳转
21L022DCQP PDF预览

21L022DCQP

更新时间: 2024-09-13 20:59:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 241K
描述
Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

21L022DCQP 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
最长访问时间:650 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-CDIP-T16JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1湿度敏感等级:2A
功能数量:1端子数量:16
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):250
子类别:SRAMs最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1

21L022DCQP 数据手册

 浏览型号21L022DCQP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号21L022DCQP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号21L022DCQP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号21L022DCQP的Datasheet PDF文件第5页 

与21L022DCQP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
21L02-2F PHILIPS

获取价格

Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16
21L022PC FAIRCHILD

获取价格

Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
21L022PCQR FAIRCHILD

获取价格

Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
21L02-3B PHILIPS

获取价格

1KX1 STANDARD SRAM, 400ns, PDIP16
21L02-3B NXP

获取价格

IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, PDIP16, Static RAM
21L02-3F NXP

获取价格

IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, CDIP16, Static RAM
21L02-3I NXP

获取价格

IC 1K X 1 STANDARD SRAM, 400 ns, CDIP16, Static RAM
21L02ADCQM FAIRCHILD

获取价格

Standard SRAM, 1KX1, 500ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
21L02DC FAIRCHILD

获取价格

Standard SRAM, 1KX1, 650ns, MOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
21L02FFC FAIRCHILD

获取价格

Standard SRAM, 1KX1, 350ns, MOS, PDFP16, DFP-16