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1ZC24TPA3

更新时间: 2024-09-20 05:50:35
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东芝 - TOSHIBA 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 74K
描述
DIODE 24 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

1ZC24TPA3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.83外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:24 V最大反向电流:10 µA
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:32 mV/ °C最大电压容差:10%
工作测试电流:10 mA

1ZC24TPA3 数据手册

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