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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, 3-3F2A, 2 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| 最大击穿电压： | 90.2 V | 最小击穿电压： | 73.8 V |
| 击穿电压标称值： | 82 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 200 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大反向电流： | 10 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1ZB82TPA2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
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| 1ZB82TPA3 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB82TPB5 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB9.1 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION) |
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| 1ZB9.1 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
ZENER DIODES |
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| 1ZB9.1 | LGE |
获取价格 |
Zener Diodes |
|
| 1ZB9.1 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
9.1V,1000mW,Zener Diodes |
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| 1ZB9.1TPA3 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor |
|
| 1ZB91 | LGE |
获取价格 |
Zener Diodes |
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| 1ZC100 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE |
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