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1ZC110

更新时间： 2024-11-18 22:07:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
4页 115K
描述
TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE

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1ZC110 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.59
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：300 ΩJESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：110 V
最大反向电流：10 µA子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：NO技术：ZENER
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max：152 mV/ °C
最大电压容差：10%工作测试电流：3 mA
Base Number Matches：1

1ZC110 数据手册

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1ZC12~1ZC120  
TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE  
TENTATIVE  
1ZC12~1ZC120  
CONSTANT VOLTAGE REGULATION  
TELEPHONE, PRINTER USES  
Unit: mm  
lAverage Power Dissipation  
lZener Voltage  
: P = 1.0W  
: V = 12~120 V  
Z
lTolerance of Zener Voltage (V ) : ±10%  
Z
l Plastic Mold Package  
MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)  
CHARACTERISTIC  
Power Dissipation  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
P
1.0  
W
°C  
°C  
Junction Temperature  
T
j
−40~150  
−40~150  
Storage Temperature Range  
T
stg  
JEDEC  
EIAJ  
TOSHIBA  
―
―
3−3F2A  
Weight: 0.18g (Typ.)  
MARKING  
1
2001-06-13  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1ZC110A TOSHIBA

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