是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.87 | 最大击穿电压: | 90.2 V |
最小击穿电压: | 73.8 V | 击穿电压标称值: | 82 V |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 200 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 1 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大反向电流: | 10 µA |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1ZB82TPB5 | TOSHIBA |
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DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
1ZB9.1 | TOSHIBA |
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DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION) | |
1ZB9.1 | BL Galaxy Electrical |
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ZENER DIODES | |
1ZB9.1 | LGE |
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Zener Diodes | |
1ZB9.1 | BL Galaxy Electrical |
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9.1V,1000mW,Zener Diodes | |
1ZB9.1TPA3 | TOSHIBA |
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DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor | |
1ZB91 | LGE |
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Zener Diodes | |
1ZC100 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE | |
1ZC100A | TOSHIBA |
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DIODE (CONSTANT VOLTAGE REGULATION) | |
1ZC100ATPA3 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 100 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode |