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1ZB82TPA3

更新时间: 2024-11-10 18:21:15
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东芝 - TOSHIBA 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

1ZB82TPA3 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.87最大击穿电压:90.2 V
最小击穿电压:73.8 V击穿电压标称值:82 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:200 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):240
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大反向电流:10 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1ZB82TPA3 数据手册

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