1SV325

更新时间： 2024-02-03 16:34:07

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东芝 - TOSHIBA		二极管变容二极管光电二极管
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描述
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

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1SV325 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	5.88%	最小二极管电容比：	4
标称二极管电容：	46.75 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	10 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1SV325 数据手册

1SV325

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

1SV325

TCXO/VCO

Unit: mm

High capacitance ratio: C /C = 4.3 (typ.)

1 V 4 V

Low series resistance: r = 0.4 Ω (typ.)

Useful for small size tuner.

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

125

Junction temperature

Storage temperature range

°C

-55~125

stg

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

1-1G1A

Weight: 0.0014 g (typ.)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Reverse voltage

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

= 1 mA

9.2

Reverse current

Capacitance

= 10 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz

49.5

1 V

4 V

Capacitance

Capacitance ratio

Series resistance

C /C

1 V 4 V

4.3

0.4

= 4 V, f = 100 MHz

0.8

Note: Signal level when capacitance is measured: Vsig = 500 mVfms

Marking

2003-03-24

12 3

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