1SV329

更新时间： 2024-02-07 05:15:33

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东芝 - TOSHIBA		二极管变容二极管光电二极管
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描述
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF Band Radio

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1SV329 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	ESC, 1-1G1A, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管电容容差：	8.06%
最小二极管电容比：	2.7	标称二极管电容：	6.2 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SV329 数据手册

1SV329

TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

1SV329

VCO for UHF Band Radio

Unit: mm

High capacitance ratio: C /C = 2.8 (typ.)

1 V 4 V

Low series resistance: r = 0.55 Ω (typ.)

Useful for small size tuner.

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

125

Junction temperature

Storage temperature range

°C

-55~125

stg

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

1-1G1A

Weight: 0.0014 g (typ.)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Reverse voltage

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

= 1 mA

Reverse current

Capacitance

= 10 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz

5.7

1.85

2.7

6.7

2.45

1 V

4 V

Capacitance

Capacitance ratio

Series resistance

C /C

1 V 4 V

2.8

0.55

= 1 V, f = 470 MHz

0.7

Note: Signal level when capacitance is measured: Vsig = 100 mVrms

Marking

2003-03-24

12 3 4

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