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1SV330

更新时间： 2024-01-18 06:35:52

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	142K
描述
DIODE 18 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, USC, 1-1E1A, 2 PIN, Variable Capacitance Diode

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1SV330 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.76	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	5.56%	最小二极管电容比：	3.5
标称二极管电容：	18 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	10 V	子类别：	Varactors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

1SV330 数据手册

1SV330

TOSHIBA Variable Capacitance Diode Silicon Epitaxial Planar Type

1SV330

Useful for VCO/TCXO

Unit: mm

•

Small Package

High Capacitance Ratio : C /C = 3.75 (typ.)

1V 4V

Low Series Resistance : r = 0.45 Ω (typ.)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Reverse voltage

125

Junction temperature

Storage temperature range

°C

−55~125

stg

USC

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

1-1E1A

Weight: 0.004 g (typ.)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Reverse voltage

Symbol

Test Condition

Min

Typ.

Max

Unit

= 1 µA



Reverse current

= 10 V

= 1 V, f = 1 MHz

= 4 V, f = 1 MHz



Capacitance

4.25

3.5



4.8

3.75

0.45

5.43



Capacitance ratio

Series resistance

1V 4V



= 1 V, f = 470 MHz

0.7

Ω

Marking

V 9

2005-11-25

12 3

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1SV331	TOSHIBA	获取价格	Useful for VCO/TCXO
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