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1SS361TE85R

更新时间： 2024-11-25 14:46:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 189K
描述
DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS361TE85R 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.73配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified最大反向电流：0.5 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1SS361TE85R 数据手册

 浏览型号1SS361TE85R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS361TE85R的Datasheet PDF文件第3页 
1SS361  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS361  
Ultra High Speed Switching Application  
Unit in mm  
z Small package  
z Low forward voltage  
: V = 0.9V (typ.)  
F
z Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 0.9pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
300 *  
100 *  
2 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
100  
mW  
°C  
°C  
JEDEC  
―
Junction temperature  
T
125  
j
JEITA  
―
Storage temperature  
T
−55~125  
stg  
TOSHIBA  
1-2S1B  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 2.4mg (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
* Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.60  
0.72  
0.90  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 10mA  
―
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
3.0  
4.0  
I
I
―
V
V
V
= 30V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
―
= 80V  
―
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1MH  
0.9  
1.6  
pF  
ns  
z
Reverse recovery time  
t
―
I = 10mA, Fig.1  
F
rr  
1
2007-11-01  
123

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