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1N827-1

更新时间: 2024-09-14 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N827-1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.11
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified参考标准:MIL-19500/159M
标称参考电压:6.2 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:0.062 mV/ °C
最大电压容差:5%Base Number Matches:1

1N827-1 数据手册

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1N827-1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N828 MICROSEMI

完全替代

6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N829-1 MICROSEMI

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1N823-1 MICROSEMI

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N827-1(DO35) ETC

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0TC Reference Voltage Zener
1N827-1-1 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N827-1-1% MICROSEMI

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Zener Diode
1N827116 NXP

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DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode
1N827-1-2 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N827-1-3%E3 MICROSEMI

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Zener Diode
1N827-1E3 MICROSEMI

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Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS, SIMILAR TO DO-7,
1N827-1E3TR MICROSEMI

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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PI
1N827-1-PBF DIGITRON

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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-7
1N827-2 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated