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1N828

更新时间: 2024-10-30 22:44:55
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N828 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-7
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.49
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.475 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.55 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:0.0655 mV/ °C
最大电压容差:5.34%Base Number Matches:1

1N828 数据手册

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1N828 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N827-1 MICROSEMI

完全替代

6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N821A MICROSEMI

完全替代

6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N827A MICROSEMI

类似代替

6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

与1N828相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N828(DO35) MICROSEMI

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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N828(DO35)E3 MICROSEMI

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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN
1N828-1 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N828-1-1 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N828-1-2 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N828-1E3 MICROSEMI

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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 P
1N828-1E3TR MICROSEMI

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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 P
1N828-1-PBF DIGITRON

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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, 0.5W, Silicon, DO-7
1N828-1TR MICROSEMI

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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 P
1N828-2 MICROSEMI

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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated