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1N827A143

更新时间: 2024-12-01 20:01:55
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode

1N827A143 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.13
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.2 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:0.062 mV/ °C
工作测试电流:7.5 mABase Number Matches:1

1N827A143 数据手册

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