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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.062 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 7.5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N827AT/R | NXP | DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Vo |
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| 1N827ATA2 | MOTOROLA | 6.2V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE |
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| 1N827ATR | MICROSEMI | 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N827ATR-1 | MICROSEMI | 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N827ATR-1-1 | MICROSEMI | 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N827ATR-1-2 | MICROSEMI | 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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