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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.27 |
| 其他特性： | TEMPERATURE COMPENSATED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.124 mV/ °C | 工作测试电流： | 7.5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N826 | NJSEMI |
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TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N826 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N826 | CDI-DIODE |
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TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N826 | DIGITRON |
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Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 6.2; Max TMS Bri |
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| 1N826(DO35) | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
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| 1N826(DO35)E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
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| 1N826-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 6.5V V(Z), 5.3%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, DO-35, 2 PIN |
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| 1N826-1 | DIGITRON |
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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, 0.5W, Silicon, DO-7 |
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| 1N826-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N826-1-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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