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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 6.55 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.131 mV/ °C | 最大电压容差： | 5.34% |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N826(DO35) | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N826(DO35)E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN |
|
| 1N826-1 | CDI-DIODE |
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Zener Diode, 6.5V V(Z), 5.3%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, DO-35, 2 PIN |
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| 1N826-1 | DIGITRON |
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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, 0.5W, Silicon, DO-7 |
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| 1N826-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N826-1-1 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N826-1-2 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
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| 1N826-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 P |
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| 1N826-1-PBF | DIGITRON |
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Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, 0.5W, Silicon, DO-7 |
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| 1N826-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 6.55V V(Z), 5.34%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 P |
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