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1N826-1

更新时间: 2024-11-04 22:23:51
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

1N826-1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-7包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.76外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-204AH
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:6.55 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.131 mV/ °C最大电压容差:5%
Base Number Matches:1

1N826-1 数据手册

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