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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.2 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 15 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 参考标准： | MIL-19500/159M | 标称参考电压： | 6.2 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 0.31 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 7.5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N823-1E3TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PI |
|
| 1N823-1-PBF | DIGITRON |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-7 |
|
| 1N823-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-204AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-7, 2 PI |
|
| 1N823-2 | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
|
| 1N823A | MOTOROLA |
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TEMPERATURECOMPENSATED SILICON ZENER REFERENCE DIODES 6.2 V, 400 mW |
|
| 1N823A | MICROSEMI |
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6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N823A | CDI-DIODE |
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TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N823A | NJSEMI |
获取价格 |
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N823A | NXP |
获取价格 |
Voltage reference diodes |
|
| 1N823A(DO35) | ETC |
获取价格 |
0TC Reference Voltage Zener |
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