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1N823A136

更新时间: 2024-11-19 20:01:55
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 99K
描述
DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode

1N823A136 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.12
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-34
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.31 mV/ °C工作测试电流:7.5 mA
Base Number Matches:1

1N823A136 数据手册

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